MEMORIA NOTEBOOK 16GB 2666MHZ DDR4 KVR26S19S8/16 KINGSTON

• Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típica • VDDQ = 1,2 V típico • VPP = 2,5 V típico • VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V • Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para dados, strobe e sinais de máscara • Auto-atualização de baixa potência (LPASR) • Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados • Geração e calibração de VREFDQ na matriz • Single-rank • EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD) • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada • Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS) • Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF) • Topologia fly-by • Comando de controle terminado e barramento de endereço • PCB: Altura 1,23 ”(30,00 mm) • Compatível com RoHS e livre de halogênio Especificações: CL (IDD): 19 ciclos Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.) Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.) Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.) Classificação UL: 94 V-0 Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC.